Transistor PNP 2SA1370, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V

Transistor PNP 2SA1370, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.87$
5-24
2.56$
25-49
2.37$
50-99
2.18$
100+
1.82$
Quantité en stock: 17

Transistor PNP 2SA1370, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. C (in): 1.7pF. C (out): 2.6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 150 MHz. Fonction: vidéo. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 200mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Sanyo. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:35

Documentation technique (PDF)
2SA1370
25 paramètres
Courant de collecteur
100mA
Boîtier
TO-92
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92M ( 9mm )
Tension collecteur/émetteur Vceo
200V
C (in)
1.7pF
C (out)
2.6pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
1W
FT
150 MHz
Fonction
vidéo
Gain hFE maxi
320
Gain hFE mini
40
Ic(puls)
200mA
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Technologie
'Epitaxial Planar Transistor'
Température
+150°C
Tension de saturation maxi VCE(sat)
0.6V
Type de transistor
PNP
Vcbo
200V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Sanyo