Transistor PNP 2SA881, D8A/C, 40V/32V, 1A, 1A, 40V

Transistor PNP 2SA881, D8A/C, 40V/32V, 1A, 1A, 40V

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Transistor PNP 2SA881, D8A/C, 40V/32V, 1A, 1A, 40V. Boîtier: D8A/C. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/32V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. FT: 150 MHz. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Fonction: usage général. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Température maxi: -.. Type de transistor: PNP. Produit d'origine constructeur: Matsushita. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:35

Documentation technique (PDF)
2SA881
17 paramètres
Boîtier
D8A/C
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
40V/32V
Courant de collecteur Ic [A], max.
1A
Courant de collecteur
1A
Tension collecteur/émetteur Vceo
40V
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Dissipation de puissance maxi
0.6W
Dissipation maximale Ptot [W]
0.6W
FT
150 MHz
Famille de composants
Transistor bipolaire PNP
Fonction
usage général
Matériau semi-conducteur
silicium
Nombre de bornes
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
non
Type de transistor
PNP
Produit d'origine constructeur
Matsushita