| Quantité en stock: 4329 |
Transistor PNP 2SA965, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V
Quantité
Prix unitaire
1-4
2.71$
5-9
2.49$
10-24
2.36$
25-49
2.22$
50+
2.05$
| Equivalence disponible | |
| Quantité en stock: 22 |
Transistor PNP 2SA965, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 120 MHz. Fonction: Processus PCT. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 80. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2235-Y. Technologie: 'Epitaxial Type'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:35
2SA965
23 paramètres
Courant de collecteur
0.8A
Boîtier
TO-92
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92M ( 9mm )
Tension collecteur/émetteur Vceo
120V
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.9W
FT
120 MHz
Fonction
Processus PCT
Gain hFE maxi
240
Gain hFE mini
80
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Spec info
transistor complémentaire (paire) 2SC2235-Y
Technologie
'Epitaxial Type'
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
1V
Type de transistor
PNP
Vcbo
120V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Toshiba
Produits équivalents et/ou accessoires pour 2SA965
| Quantité en stock: 172 |