Transistor PNP 2SB1470, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V

Transistor PNP 2SB1470, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V

Quantité
Prix unitaire
1-4
10.71$
5-24
9.85$
25-49
9.16$
50+
8.62$
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Quantité en stock: 2

Transistor PNP 2SB1470, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TOP-3L. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 150W. FT: 20 MHz. Fonction: Optimal pour une sortie Hi-Fi de 120W. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 3500. Ic(puls): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Technologie: 'Triple diffusion planar type darlington'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Panasonic. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:09

Documentation technique (PDF)
2SB1470
27 paramètres
Courant de collecteur
8A
Boîtier
TO-264 ( TOP-3L )
Boîtier (selon fiche technique)
TOP-3L
Tension collecteur/émetteur Vceo
160V
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
150W
FT
20 MHz
Fonction
Optimal pour une sortie Hi-Fi de 120W
Gain hFE maxi
20000
Gain hFE mini
3500
Ic(puls)
15A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
2
RoHS
oui
Technologie
'Triple diffusion planar type darlington'
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
3V
Tf(max)
1.2us
Tf(min)
1.2us
Transistor Darlington?
oui
Type de transistor
PNP
Vcbo
160V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Panasonic