| Quantité en stock: 4329 |
Transistor PNP 2SB647-SMD, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V
Quantité
Prix unitaire
1-4
1.32$
5-24
1.06$
25-49
0.90$
50-99
0.85$
100+
0.66$
| Equivalence disponible | |
| Quantité en stock: 134 |
Transistor PNP 2SB647-SMD, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 140 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: PNP. Vebo: 5V. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:09
2SB647-SMD
21 paramètres
Courant de collecteur
1A
Boîtier
SOT-89
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-89
Tension collecteur/émetteur Vceo
80V
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.9W
FT
140 MHz
Fonction
usage général
Gain hFE maxi
320
Gain hFE mini
60
Ic(puls)
2A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
1V
Type de transistor
PNP
Vebo
5V