Transistor PNP 2SB688, TO-3PN ( 2-16C1B ), 8A, TO-3PN, 120V

Transistor PNP 2SB688, TO-3PN ( 2-16C1B ), 8A, TO-3PN, 120V

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.11$
5-9
2.63$
10-24
2.35$
25-49
2.15$
50+
1.95$
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Transistor PNP 2SB688, TO-3PN ( 2-16C1B ), 8A, TO-3PN, 120V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Courant de collecteur Ic [A]: 8A, 12A. Dissipation de puissance maxi: 80W. FT: 10 MHz. Fréquence: 10MHz, 15MHz. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 55. Gain hfe: 20...200. Marquage sur le boîtier: B668. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 100W. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD718. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 120V, 140V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Korea Electronics Semi. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:09

Documentation technique (PDF)
2SB688
26 paramètres
Boîtier
TO-3PN ( 2-16C1B )
Courant de collecteur
8A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-3PN
Tension collecteur/émetteur Vceo
120V
Courant de collecteur Ic [A]
8A, 12A
Dissipation de puissance maxi
80W
FT
10 MHz
Fréquence
10MHz, 15MHz
Gain hFE maxi
160
Gain hFE mini
55
Gain hfe
20...200
Marquage sur le boîtier
B668
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
bipolaire
Puissance
100W
Quantité par boîtier
1
Spec info
transistor complémentaire (paire) 2SD718
Température
+150°C
Tension (collecteur - émetteur)
120V, 140V
Tension de saturation VCE(sat)
2.5V
Type de transistor
PNP
Vcbo
120V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Korea Electronics Semi.