Transistor PNP BC177B, TO-18 ( TO-206 ), 0.2A, TO-18, 45V

Transistor PNP BC177B, TO-18 ( TO-206 ), 0.2A, TO-18, 45V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.95$
5-24
0.79$
25-49
0.69$
50-99
0.61$
100+
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Transistor PNP BC177B, TO-18 ( TO-206 ), 0.2A, TO-18, 45V. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 4pF. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Fréquence: 130MHz. Gain hFE maxi: 460. Gain hFE mini: 180. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 300mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -60...+200°C. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Cdil. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:56

Documentation technique (PDF)
BC177B
29 paramètres
Boîtier
TO-18 ( TO-206 )
Courant de collecteur
0.2A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-18
Tension collecteur/émetteur Vceo
45V
C (out)
4pF
Courant de collecteur Ic [A]
100mA
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.3W
FT
200 MHz
Fonction
usage général
Fréquence
130MHz
Gain hFE maxi
460
Gain hFE mini
180
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
bipolaire
Puissance
300mW
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Température de fonctionnement
-60...+200°C
Tension (collecteur - émetteur)
50V
Tension de saturation VCE(sat)
0.2V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
0.6V
Type de transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Cdil