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| 12 in stock | |
| x2 |
Transistor PNP BC212B, -50V, 100mA, TO-92, TO-92, 50V
Quantité
Prix unitaire
10-49
0.11$
50-99
0.0940$
100-199
0.0805$
200+
0.0628$
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| Equivalence disponible | |
| Quantité en stock: 845 |
Transistor PNP BC212B, -50V, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 350mW. FT: 280 MHz. Fréquence maxi: 280MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: PNP. Puissance: 1W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Cdil. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:56
BC212B
28 paramètres
Tension collecteur-émetteur VCEO
-50V
Courant de collecteur
100mA
Boîtier
TO-92
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92
Tension collecteur/émetteur Vceo
50V
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
350mW
FT
280 MHz
Fréquence maxi
280MHz
Gain hFE maxi
400
Gain hFE mini
200
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
PNP
Puissance
1W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Technologie
'Epitaxial Planar Transistor'
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.1V
Transistor Darlington?
non
Type de transistor
PNP
Vcbo
60V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Cdil
Quantité minimum
10