Transistor PNP BC303, -60V, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V

Transistor PNP BC303, -60V, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.09$
5-24
0.93$
25-49
0.80$
50-99
0.72$
100+
0.64$
+166 pièces supplémentaires disponibles en stock distant (approvisionnement dans les 4h). Nous contacter pour tarif et disponibilité!
Equivalence disponible
Quantité en stock: 44

Transistor PNP BC303, -60V, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -60V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.85W. FT: 0.65 MHz. Fréquence maxi: 75MHz. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: PNP. Puissance: 0.85W. Quantité par boîtier: 1. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Température: +175°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.65V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 85V. Vebo: 7V. Produit d'origine constructeur: Cdil. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:56

Documentation technique (PDF)
BC303
25 paramètres
Tension collecteur-émetteur VCEO
-60V
Courant de collecteur
0.5A
Boîtier
TO-39 ( TO-205 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-39
Tension collecteur/émetteur Vceo
60V
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.85W
FT
0.65 MHz
Fréquence maxi
75MHz
Gain hFE maxi
120
Gain hFE mini
40
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
PNP
Puissance
0.85W
Quantité par boîtier
1
Technologie
EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
Température
+175°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.65V
Type de transistor
PNP
Vcbo
85V
Vebo
7V
Produit d'origine constructeur
Cdil

Produits équivalents et/ou accessoires pour BC303