Transistor PNP BC556BG, -65V, TO-92, -0.1A, TO-226AA, 65V, 100mA

Transistor PNP BC556BG, -65V, TO-92, -0.1A, TO-226AA, 65V, 100mA

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Transistor PNP BC556BG, -65V, TO-92, -0.1A, TO-226AA, 65V, 100mA. Tension collecteur-émetteur VCEO: -65V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: -0.1A. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 280 MHz. Fréquence maxi: 280MHz. Marquage du fabricant: BC556B. Nombre de bornes: 3. Polarité: PNP. Puissance: 0.625W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Type de transistor: transistor PNP. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 21:26

Documentation technique (PDF)
BC556BG
19 paramètres
Tension collecteur-émetteur VCEO
-65V
Boîtier
TO-92
Courant de collecteur
-0.1A
Boîtier (norme JEDEC)
TO-226AA
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
65V
Courant de collecteur Ic [A], max.
100mA
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Dissipation maximale Ptot [W]
0.625W
Famille de composants
transistor PNP
Fréquence de coupure ft [MHz]
280 MHz
Fréquence maxi
280MHz
Marquage du fabricant
BC556B
Nombre de bornes
3
Polarité
PNP
Puissance
0.625W
RoHS
oui
Température maxi
+150°C.
Type de transistor
transistor PNP
Produit d'origine constructeur
Onsemi