Transistor PNP BC807-40, SOT-23 ( TO-236 ), -45V, 0.5A, SOT23 ( TO236 ), 45V
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Transistor PNP BC807-40, SOT-23 ( TO-236 ), -45V, 0.5A, SOT23 ( TO236 ), 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: -45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): SOT23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Bande passante MHz: 100MHz. C (out): 5pF. Courant de collecteur Ic [A]: 500mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 80MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE min.: 250. Gain hFE mini: 250. Gain hfe: 400. Ic(puls): 1A. Information: -. Marquage sur le boîtier: 5C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 300W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 5C. Série: BC. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Tension base / collecteur VCBO: -50V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Type de montage: SMD. Type de transistor: PNP. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Nxp Semiconductors. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:13