Transistor PNP BC856B, SOT-23 ( TO-236 ), 65V, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 65V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: 65V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Bande passante MHz: 100MHz. C (out): 4.5pF. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Equivalences: ON Semiconductor BC856BLT1G. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 475. Gain hFE min.: 220. Gain hFE mini: 220. Gain hfe: 290. Ic(puls): 200mA. Information: -. Marquage sur le boîtier: 3B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 3B. Série: BC. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 80V, 65V. Tension base / collecteur VCBO: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.065V. Type de montage: SMD. Type de transistor: PNP. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Nexperia. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:13