Transistor PNP BC858CLT1G-3L, SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA

Transistor PNP BC858CLT1G-3L, SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA

Quantité
Prix unitaire
10-99
0.15$
100-499
0.12$
500-2999
0.0788$
3000+
0.0525$
Quantité en stock: 16271
Minimum: 10

Transistor PNP BC858CLT1G-3L, SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 3L. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 18:29

BC858CLT1G-3L
14 paramètres
Boîtier
SOT-23
Boîtier (norme JEDEC)
TO-236
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
30 v
Courant de collecteur Ic [A], max.
100mA
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Dissipation maximale Ptot [W]
0.225W
Famille de composants
transistor PNP
Fréquence de coupure ft [MHz]
100 MHz
Marquage du fabricant
3L
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Température maxi
+150°C
Produit d'origine constructeur
Onsemi
Quantité minimum
10