Transistor PNP BCW30, 0.1A, 32V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Dissipation de puissance maxi: 300mW. FT: 150 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 500. Gain hFE mini: 250. Marquage sur le boîtier: C2. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS C2. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 32V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 20:34