Transistor PNP BCX42, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V

Transistor PNP BCX42, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.30$
5-49
0.25$
50-99
0.22$
100-199
0.20$
200+
0.17$
Quantité en stock: 193

Transistor PNP BCX42, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 125V. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 150 MHz. Fonction: transistor PNP. pour applications AF et commutation. Gain hFE maxi: 63. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: DKs. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX41. Température de fonctionnement: -65...150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.9V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 125V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:13

Documentation technique (PDF)
BCX42
24 paramètres
Courant de collecteur
0.8A
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23
Tension collecteur/émetteur Vceo
125V
C (out)
12pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.33W
FT
150 MHz
Fonction
transistor PNP
Gain hFE maxi
63
Gain hFE mini
25
Ic(puls)
1A
Marquage sur le boîtier
DKs
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Quantité par boîtier
1
Spec info
transistor complémentaire (paire) BCX41
Température de fonctionnement
-65...150°C
Tension de saturation maxi VCE(sat)
0.9V
Type de transistor
PNP
Vcbo
125V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies