Transistor PNP BD140-CDIL, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V

Transistor PNP BD140-CDIL, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.29$
5-24
0.24$
25-49
0.21$
50-99
0.19$
100+
0.16$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 355

Transistor PNP BD140-CDIL, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD139. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Cdil. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:12

BD140-CDIL
26 paramètres
Courant de collecteur
1.5A
Boîtier
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Boîtier (selon fiche technique)
TO-126
Tension collecteur/émetteur Vceo
80V
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
12.5W
FT
50 MHz
Fonction
NF-L
Gain hFE maxi
250
Gain hFE mini
25
Ic(puls)
2A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) BD139
Technologie
'Epitaxial Planar Transistor'
Température de fonctionnement
-55°C à +150°C
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.5V
Type de transistor
PNP
Vcbo
100V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Cdil

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