Transistor PNP BD140, TO-126 (TO-225, SOT-32), -100V, 1.5A, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126, 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 1.5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. FT: 50 MHz. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 50MHz. Fréquence: 50MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 3A. Marquage du fabricant: BD140. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 12W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD139. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:12