Transistor PNP BD442, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126, 80V

Transistor PNP BD442, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126, 80V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.57$
5-49
0.43$
50-99
0.39$
100+
0.34$
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Transistor PNP BD442, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126, 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Date de production: 1449. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 36W. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fonction: PNP TRANSISTOR 80V 2A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 7A. Marquage du fabricant: BD442. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD441. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:12

Documentation technique (PDF)
BD442
36 paramètres
Boîtier
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Boîtier (norme JEDEC)
SOT-32
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
80V
Courant de collecteur Ic [A], max.
4A
Courant de collecteur
4A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-126
Tension collecteur/émetteur Vceo
80V
Conditionnement
tube en plastique
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Date de production
1449
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
36W
Dissipation maximale Ptot [W]
36W
FT
3 MHz
Famille de composants
transistor de puissance PNP
Fonction
PNP TRANSISTOR 80V 2A
Fréquence de coupure ft [MHz]
3 MHz
Gain hFE maxi
130
Gain hFE mini
20
Ic(puls)
7A
Marquage du fabricant
BD442
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
3
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) BD441
Température maxi
+150°C.
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.8V
Transistor Darlington?
non
Type de transistor
PNP
Vcbo
80V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics

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