Transistor PNP BD682, TO-126, SOT-32, -100V, 4A, 100V, 4A, 100V. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 4A. Courant maximum 1: -4A. Diode BE: non. Diode CE: oui. Diode intégrée: oui. Dissipation de puissance maxi: 40W. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. FT: 10 MHz. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE maxi: -. Gain hFE min.: 750. Gain hFE mini: 750. Gain hfe: 750. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BD682. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 40W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD681. Série: BD682. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: -100V. Transistor Darlington?: oui. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Type: transistor Darlington. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:12