Transistor PNP BDP950, SOT-223, TO-264, -60V, 60V, 3A

Transistor PNP BDP950, SOT-223, TO-264, -60V, 60V, 3A

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Transistor PNP BDP950, SOT-223, TO-264, -60V, 60V, 3A. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-264. Tension collecteur-émetteur VCEO: -60V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Bande passante MHz: 100MHz. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant maximum 1: -3A. Dissipation maximale Ptot [W]: 5W. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Gain hFE min.: 25. Information: -. Marquage du fabricant: BDP950. Nombre de bornes: 3. Polarité: PNP. Puissance: 3W. RoHS: oui. Série: BDP. Température maxi: +150°C.. Tension base / collecteur VCBO: -60V. Type de montage: SMD. Type: transistor pour applications basse puissance. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 20:24

Documentation technique (PDF)
BDP950
23 paramètres
Boîtier
SOT-223
Boîtier (norme JEDEC)
TO-264
Tension collecteur-émetteur VCEO
-60V
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
60V
Courant de collecteur Ic [A], max.
3A
Bande passante MHz
100MHz
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant maximum 1
-3A
Dissipation maximale Ptot [W]
5W
Famille de composants
transistor de puissance PNP
Fréquence de coupure ft [MHz]
100 MHz
Gain hFE min.
25
Marquage du fabricant
BDP950
Nombre de bornes
3
Polarité
PNP
Puissance
3W
RoHS
oui
Série
BDP
Température maxi
+150°C.
Tension base / collecteur VCBO
-60V
Type de montage
SMD
Type
transistor pour applications basse puissance
Produit d'origine constructeur
Infineon