Transistor PNP BDT64C, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: oui. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 125W. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 1500. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 20A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Spec info: transistor complémentaire (paire) BDT65C. Technologie: transistor Darlington. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tf(max): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 2.5V. Produit d'origine constructeur: Philips Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:12