Transistor PNP BDV64BG, TO-247, 100V, 10A, 10A, TO-247, 100V

Transistor PNP BDV64BG, TO-247, 100V, 10A, 10A, TO-247, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
5.24$
5-14
4.76$
15-29
4.35$
30-59
4.02$
60+
3.57$
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Transistor PNP BDV64BG, TO-247, 100V, 10A, 10A, TO-247, 100V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 125W. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 20A. Marquage du fabricant: BDV64BG. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDV65B. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:12

Documentation technique (PDF)
BDV64BG
30 paramètres
Boîtier
TO-247
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
100V
Courant de collecteur Ic [A], max.
10A
Courant de collecteur
10A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247
Tension collecteur/émetteur Vceo
100V
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
125W
Dissipation maximale Ptot [W]
125W
Famille de composants
Transistor PNP Darlington de puissance
Gain hFE mini
1000
Ic(puls)
20A
Marquage du fabricant
BDV64BG
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
3
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) BDV65B
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Température maxi
+150°C.
Tension de saturation maxi VCE(sat)
2V
Transistor Darlington?
oui
Type de transistor
PNP
Vcbo
100V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor