Transistor PNP BDV64C-POW, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V

Transistor PNP BDV64C-POW, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V

Quantité
Prix unitaire
1-4
8.37$
5-14
7.86$
15-29
7.49$
30-59
7.12$
60+
6.46$
Quantité en stock: 21

Transistor PNP BDV64C-POW, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 125W. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDV65C. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Power Integrations. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:12

Documentation technique (PDF)
BDV64C-POW
22 paramètres
Courant de collecteur
12A
Boîtier
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-93
Tension collecteur/émetteur Vceo
120V
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
125W
Gain hFE mini
1000
Ic(puls)
15A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) BDV65C
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
2V
Transistor Darlington?
oui
Type de transistor
PNP
Vcbo
120V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Power Integrations