Transistor PNP BSP60-115, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V

Transistor PNP BSP60-115, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.61$
5-49
0.51$
50-99
0.44$
100-199
0.40$
200+
0.34$
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Quantité en stock: 192

Transistor PNP BSP60-115, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 1.25W. FT: 200 MHz. Fonction: courant continu élevé, pilotes de relais, pilotes de lampe. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Résistance BE: 150 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) BSP50. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.3V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Nxp Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:40

Documentation technique (PDF)
BSP60-115
24 paramètres
Courant de collecteur
1A
Boîtier
SOT-223 ( TO-226 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-223
Tension collecteur/émetteur Vceo
45V
Diode BE
non
Diode CE
oui
Dissipation de puissance maxi
1.25W
FT
200 MHz
Fonction
courant continu élevé, pilotes de relais, pilotes de lampe
Gain hFE maxi
2000
Gain hFE mini
1000
Ic(puls)
2A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Quantité par boîtier
1
Résistance BE
150 Ohms
Spec info
transistor complémentaire (paire) BSP50
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de saturation maxi VCE(sat)
1.3V
Transistor Darlington?
oui
Type de transistor
PNP
Vcbo
60V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Nxp Semiconductors