Transistor PNP DTA143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Transistor PNP DTA143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Quantité
Prix unitaire
10-24
0.13$
25-49
0.11$
50-99
0.10$
100+
0.0856$
Quantité en stock: 65
Minimum: 10

Transistor PNP DTA143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Fonction: Transistor PNP équipé d'une résistance. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 100mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance B: 4.7k Ohms. Résistance BE: 47k Ohms. Spec info: sérigraphie/code CMS 19. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 10V. Produit d'origine constructeur: Nxp Semiconductors. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 13:03

Documentation technique (PDF)
DTA143ZT
26 paramètres
Courant de collecteur
100mA
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
Tension collecteur/émetteur Vceo
50V
C (out)
3pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.25W
Fonction
Transistor PNP équipé d'une résistance
Gain hFE mini
100
Ic(puls)
100mA
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance B
4.7k Ohms
Résistance BE
47k Ohms
Spec info
sérigraphie/code CMS 19
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.1V
Type de transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
10V
Produit d'origine constructeur
Nxp Semiconductors
Quantité minimum
10