Transistor PNP KTB778, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V

Transistor PNP KTB778, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.00$
5-29
2.64$
30-59
2.37$
60+
2.18$
Quantité en stock: 18

Transistor PNP KTB778, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P ( H ) IS. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 280pF. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 80W. FT: 10 MHz. Fonction: Amplificateur audio haute puissance. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 55. Marquage sur le boîtier: B778. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) KTD998. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Type de transistor: PNP. Unité de conditionnement: 30. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Korea Electronics Semi. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
KTB778
26 paramètres
Courant de collecteur
10A
Boîtier
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Boîtier (selon fiche technique)
TO-3P ( H ) IS
Tension collecteur/émetteur Vceo
120V
C (out)
280pF
Conditionnement
tube en plastique
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
80W
FT
10 MHz
Fonction
Amplificateur audio haute puissance
Gain hFE maxi
160
Gain hFE mini
55
Marquage sur le boîtier
B778
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Spec info
transistor complémentaire (paire) KTD998
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
2.5V
Type de transistor
PNP
Unité de conditionnement
30
Vcbo
120V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Korea Electronics Semi.