Transistor PNP MJE15035G, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V

Transistor PNP MJE15035G, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.08$
5-24
2.71$
25-49
2.42$
50-99
2.17$
100+
1.84$
Quantité en stock: 60

Transistor PNP MJE15035G, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. C (out): 2.5pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 30 MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 8A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) MJE15034G. RoHS: oui. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
MJE15035G
25 paramètres
Courant de collecteur
4A
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension collecteur/émetteur Vceo
350V
C (out)
2.5pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
50W
FT
30 MHz
Gain hFE maxi
100
Gain hFE mini
10
Ic(puls)
8A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Remarque
transistor complémentaire (paire) MJE15034G
RoHS
oui
Spec info
hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.5V
Type de transistor
PNP
Vcbo
350V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor