Transistor PNP MJE210G, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V

Transistor PNP MJE210G, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.89$
5-24
0.76$
25-49
0.65$
50-99
0.56$
100+
0.42$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 496

Transistor PNP MJE210G, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 120pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 15W. FT: 65MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE200. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 25V. Vebo: 8V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
MJE210G
20 paramètres
Courant de collecteur
5A
Boîtier
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Boîtier (selon fiche technique)
TO-225
Tension collecteur/émetteur Vceo
40V
C (out)
120pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
15W
FT
65MHz
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Quantité par boîtier
1
Spec info
transistor complémentaire (paire) MJE200
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.3V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
1.8V
Type de transistor
PNP
Vcbo
25V
Vebo
8V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor

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