Transistor PNP MJE2955T, TO-220, -70V, 10A, TO-220AB, 60V, 10A, TO-220AB, 60V

Transistor PNP MJE2955T, TO-220, -70V, 10A, TO-220AB, 60V, 10A, TO-220AB, 60V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.26$
5-24
1.05$
25-49
0.92$
50-99
0.84$
100+
0.72$
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Transistor PNP MJE2955T, TO-220, -70V, 10A, TO-220AB, 60V, 10A, TO-220AB, 60V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: -70V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 10A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. FT: 2 MHz. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Fréquence maxi: 4MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Marquage du fabricant: MJE2955T. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 90W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 70V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
MJE2955T
42 paramètres
Boîtier
TO-220
Tension collecteur-émetteur VCEO
-70V
Courant de collecteur
10A
Boîtier (norme JEDEC)
TO-220AB
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
60V
Courant de collecteur Ic [A], max.
10A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension collecteur/émetteur Vceo
60V
Conditionnement
tubus
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de collecteur Ic [A]
10A
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
75W
Dissipation maximale Ptot [W]
75W
FT
2 MHz
Famille de composants
transistor de puissance PNP
Fonction
NF-L
Fréquence de coupure ft [MHz]
2 MHz
Fréquence maxi
4MHz
Gain hFE maxi
70
Gain hFE mini
20
Marquage du fabricant
MJE2955T
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
3
Nombre de connexions
3
Polarité
bipolaire
Puissance
90W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) MJE3055T
Technologie
'Epitaxial-Base'
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Température maxi
+150°C.
Tension (collecteur - émetteur)
70V
Tension de saturation VCE(sat)
1.1V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
8V
Type de transistor
PNP
Vcbo
70V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics

Produits équivalents et/ou accessoires pour MJE2955T