Transistor PNP MJE350-ONS, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V

Transistor PNP MJE350-ONS, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.16$
5-49
1.00$
50-99
0.87$
100-199
0.76$
200+
0.65$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 108

Transistor PNP MJE350-ONS, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (in): 7pF. C (out): 110pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. Equivalences: KSE350. FT: 10 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE340. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Type de transistor: PNP. Vebo: 3V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
MJE350-ONS
22 paramètres
Courant de collecteur
0.5A
Boîtier
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Boîtier (selon fiche technique)
TO-225
Tension collecteur/émetteur Vceo
300V
C (in)
7pF
C (out)
110pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
20.8W
Equivalences
KSE350
FT
10 MHz
Gain hFE maxi
240
Gain hFE mini
30
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) MJE340
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Type de transistor
PNP
Vebo
3V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor

Produits équivalents et/ou accessoires pour MJE350-ONS