Transistor PNP MJE350G, -300V, TO-126, -0.5A, TO-225, 300V, 500mA
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Transistor PNP MJE350G, -300V, TO-126, -0.5A, TO-225, 300V, 500mA. Tension collecteur-émetteur VCEO: -300V. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur: -0.5A. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 10MHz. Marquage du fabricant: MJE350G. Nombre de bornes: 3. Polarité: PNP. Puissance: 20W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Type de transistor: Transistor de puissance. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:50
MJE350G
18 paramètres
Tension collecteur-émetteur VCEO
-300V
Boîtier
TO-126
Courant de collecteur
-0.5A
Boîtier (norme JEDEC)
TO-225
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
300V
Courant de collecteur Ic [A], max.
500mA
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Dissipation maximale Ptot [W]
20W
Famille de composants
transistor PNP haute tension
Fréquence maxi
10MHz
Marquage du fabricant
MJE350G
Nombre de bornes
3
Polarité
PNP
Puissance
20W
RoHS
oui
Température maxi
+150°C.
Type de transistor
Transistor de puissance
Produit d'origine constructeur
Onsemi