Transistor PNP MMUN2115LT1G, SOT-23, TO-236, 50V, 100mA

Transistor PNP MMUN2115LT1G, SOT-23, TO-236, 50V, 100mA

Quantité
Prix unitaire
10-99
0.12$
100+
0.0656$
Quantité en stock: 4139
Minimum: 10

Transistor PNP MMUN2115LT1G, SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.24W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: A6E. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 18:29

Documentation technique (PDF)
MMUN2115LT1G
13 paramètres
Boîtier
SOT-23
Boîtier (norme JEDEC)
TO-236
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
50V
Courant de collecteur Ic [A], max.
100mA
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Dissipation maximale Ptot [W]
0.24W
Famille de composants
transistor PNP
Marquage du fabricant
A6E
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Température maxi
+150°C
Produit d'origine constructeur
Onsemi
Quantité minimum
10