Transistor PNP NTE219, 15A, 60V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 115W. FT: 2.5 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) NTE219. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Température: +200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.3V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 7V. Produit d'origine constructeur: Nte Electronics Inc. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:13