Transistor PNP TIP127G, 5A, TO-220, TO-220, 100V

Transistor PNP TIP127G, 5A, TO-220, TO-220, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.85$
5-24
1.60$
25-49
1.44$
50-99
1.32$
100+
1.18$
Quantité en stock: 85

Transistor PNP TIP127G, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. C (out): 300pF. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 65W. FT: -. Fonction: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 8A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP122G. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:51

TIP127G
28 paramètres
Courant de collecteur
5A
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension collecteur/émetteur Vceo
100V
C (out)
300pF
Conditionnement
tube en plastique
Diode BE
non
Diode CE
oui
Dissipation de puissance maxi
65W
Fonction
8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2)
Gain hFE mini
1000
Ic(puls)
8A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance BE
8 k Ohms és 120 Ohms
Spec info
transistor complémentaire (paire) TIP122G
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
2V
Transistor Darlington?
oui
Type de transistor
PNP
Unité de conditionnement
50
Vcbo
100V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor