Transistor PNP ZTX753, TO-92, 2A, TO-92, 100V

Transistor PNP ZTX753, TO-92, 2A, TO-92, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.61$
5-24
1.37$
25-49
1.21$
50-99
1.10$
100+
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Transistor PNP ZTX753, TO-92, 2A, TO-92, 100V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. C (out): 30pF. Conditionnement: -. Courant de collecteur Ic [A]: 2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 140 MHz. Fonction: Très faible saturation VBE(sat) 0.9V. Fréquence: 140MHz. Ic(puls): 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 1W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX653. Technologie: SILICON PLANAR. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Tension (collecteur - émetteur): 100V, 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.17V. Tf(max): 600 ns. Tf(min): 40 ns. Type de conditionnement: -. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Diodes Inc. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:51

Documentation technique (PDF)
ZTX753
31 paramètres
Boîtier
TO-92
Courant de collecteur
2A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92
Tension collecteur/émetteur Vceo
100V
C (out)
30pF
Courant de collecteur Ic [A]
2A
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
1W
FT
140 MHz
Fonction
Très faible saturation VBE(sat) 0.9V
Fréquence
140MHz
Ic(puls)
6A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
bipolaire
Puissance
1W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) ZTX653
Technologie
SILICON PLANAR
Température de fonctionnement
-55...+200°C
Tension (collecteur - émetteur)
100V, 120V
Tension de saturation VCE(sat)
0.17V
Tf(max)
600 ns
Tf(min)
40 ns
Type de transistor
PNP
Vcbo
120V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Diodes Inc.