Transistor SI4435DDY-T1-GE3
Quantité
Prix unitaire
5-9
1.54$
10-49
1.49$
50-199
1.33$
200-999
1.23$
1000+
1.12$
| Quantité en stock: 191 |
Transistor SI4435DDY-T1-GE3. Boîtier: SO8. Dissipation de puissance maxi: 5W. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 11.4A. Information: -. MSL: -. Particularités: -. Polarité: MOSFET P. Série: TrenchFET. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: SMD. Vdss (tension drain à source): -30V. Produit d'origine constructeur: Vishay Siliconix. Quantité minimum: 5. Quantité en stock actualisée le 01/11/2025, 18:37
SI4435DDY-T1-GE3
10 paramètres
Boîtier
SO8
Dissipation de puissance maxi
5W
Id @ Tc=25°C (courant de drain continu)
11.4A
Polarité
MOSFET P
Série
TrenchFET
Tension grille/source Vgs (Max)
-20V
Type de montage
SMD
Vdss (tension drain à source)
-30V
Produit d'origine constructeur
Vishay Siliconix
Quantité minimum
5