Quantité (Lot de 25) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 1.10$ | 1.19$ |
2 - 3 | 1.04$ | 1.12$ |
4 - 9 | 0.99$ | 1.07$ |
10 - 19 | 0.93$ | 1.01$ |
20 - 39 | 0.88$ | 0.95$ |
40 - 4863 | 0.82$ | 0.89$ |
Quantité (Lot de 25) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 1.10$ | 1.19$ |
2 - 3 | 1.04$ | 1.12$ |
4 - 9 | 0.99$ | 1.07$ |
10 - 19 | 0.93$ | 1.01$ |
20 - 39 | 0.88$ | 0.95$ |
40 - 4863 | 0.82$ | 0.89$ |
Transistor PNP, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V, 100mA - BC856B. Transistor PNP, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V, 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Courant de collecteur: 100mA. Equivalences: ON Semiconductor BC856BLT1G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 3B. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.065V. Vebo: 5V. Diode BE: non. C (out): 4.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 475. Gain hFE mini: 220. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3B. Produit d'origine constructeur Nexperia. Quantité en stock actualisée le 26/07/2025, 02:25.
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