Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.80$ | 0.86$ |
10 - 24 | 0.76$ | 0.82$ |
25 - 49 | 0.73$ | 0.79$ |
50 - 99 | 0.72$ | 0.78$ |
100 - 249 | 0.65$ | 0.70$ |
250 - 330 | 0.62$ | 0.67$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.80$ | 0.86$ |
10 - 24 | 0.76$ | 0.82$ |
25 - 49 | 0.73$ | 0.79$ |
50 - 99 | 0.72$ | 0.78$ |
100 - 249 | 0.65$ | 0.70$ |
250 - 330 | 0.62$ | 0.67$ |
Transistor NPN, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 100V, 4A - BD681. Transistor NPN, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 100V, 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Courant de collecteur: 4A. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD682. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Résistance BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 750. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 26/07/2025, 13:25.
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