Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode, 6A, 250A, R-6, R-6 ( 9.1x7.2mm ), 1000V - 6A100G-R0G

Diode, 6A, 250A, R-6, R-6 ( 9.1x7.2mm ), 1000V - 6A100G-R0G
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Diode, 6A, 250A, R-6, R-6 ( 9.1x7.2mm ), 1000V - 6A100G-R0G. Diode, 6A, 250A, R-6, R-6 ( 9.1x7.2mm ), 1000V. IF(AV): 6A. IFSM: 250A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 9.1x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 60pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 2500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 100uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 6A10. Equivalences: 6A100G-R0G. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--250Ap (t=8.3ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Produit d'origine constructeur Yangzhou Yangjie Electronic. Quantité en stock actualisée le 25/07/2025, 01:25.

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Diode, R-6 ( 9.1x9.1mm ), 1000V, P600, 6A. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 9.1x9.1mm ). VRRM: 1000V. Boîtier: P600. Courant redressé moyen par diode: 6A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: IFSM--400Ap (t=8.3ms). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.0V / 5A. Type de montage: THT. Courant de fuite inverse: 25uA / 1000V. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Information: 1V @ 5A. Série: P600. MSL: 10uA
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