Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 100V - EGP20B

Diode, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 100V - EGP20B
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Quantité HT TTC
1 - 9 0.71$ 0.77$
10 - 24 0.68$ 0.74$
25 - 49 0.66$ 0.71$
50 - 99 0.64$ 0.69$
100 - 236 0.63$ 0.68$
Quantité U.P
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Diode, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 100V - EGP20B. Diode, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 100V. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Produit d'origine constructeur Ge (tungsram). Quantité en stock actualisée le 25/07/2025, 14:25.

Documentation technique

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Diode, 200V, 2A, 50A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). VRRM: 200V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.07V. Tension de seuil Vf (min): 0.88V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--50App, t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé
BYV27-200-TAP
Diode, 200V, 2A, 50A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). VRRM: 200V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.07V. Tension de seuil Vf (min): 0.88V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--50App, t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé
Lot de 1
1.33$ TTC
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Quantité en stock : 25
FE3B

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FE3B
Diode, 3A, 100V. IF(AV): 3A. VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GL. Remarque: 125A/8.3ms
FE3B
Diode, 3A, 100V. IF(AV): 3A. VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GL. Remarque: 125A/8.3ms
Lot de 1
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0.45$
Quantité en stock : 96
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Diode, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 400V. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche tech...
EGP20G
Diode, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 400V. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé
EGP20G
Diode, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 400V. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé
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Diode, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 200V. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé
EGP20D
Diode, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 200V. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé
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