Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode, 1A, DO-41, DO-41, 200V - UF4003

Diode, 1A, DO-41, DO-41, 200V - UF4003
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Quantité (Lot de 10) HT TTC
1 - 1 1.55$ 1.68$
2 - 2 1.47$ 1.59$
3 - 4 1.39$ 1.50$
5 - 9 1.36$ 1.47$
10 - 24 1.31$ 1.42$
25 - 46 1.24$ 1.34$
Quantité (Lot de 10) U.P
1 - 1 1.55$ 1.68$
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3 - 4 1.39$ 1.50$
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Lot de 10

Diode, 1A, DO-41, DO-41, 200V - UF4003. Diode, 1A, DO-41, DO-41, 200V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Produit d'origine constructeur Diotec Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 25/07/2025, 17:25.

Documentation technique

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Quantité en stock : 612
UF4006

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Diode, 1A, DO-41, DO-41, 800V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41....
UF4006
Diode, 1A, DO-41, DO-41, 800V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé
UF4006
Diode, 1A, DO-41, DO-41, 800V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé
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Diode. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 75 ns. Plage de température de ...
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Diode. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 75 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 1A. Ifsm [A]: 33A. Tension directe Vfmax (V): 1.7V @ 1A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA
UF4007
Diode. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 75 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 1A. Ifsm [A]: 33A. Tension directe Vfmax (V): 1.7V @ 1A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA
Lot de 10
2.27$ TTC
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BYV26C
Diode, 1A, 30A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 30 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast soft-recovery'. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V
BYV26C
Diode, 1A, 30A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 30 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast soft-recovery'. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V
Lot de 1
0.82$ TTC
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SUF4003
Diode, 1A, 27A, DO-213, DO-213AB ( 2.5x5mm ), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 5000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V
SUF4003
Diode, 1A, 27A, DO-213, DO-213AB ( 2.5x5mm ), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 5000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V
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Diode, 1A, DO-41, DO-41, 600V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé
UF4005
Diode, 1A, DO-41, DO-41, 600V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé
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