Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode, 3A, 125A, DO-201, DO-201AD ( 9.0x5.3mm ), 1000V - HER308

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10 - 24 0.40$ 0.43$
25 - 49 0.38$ 0.41$
50 - 99 0.37$ 0.40$
100 - 249 0.33$ 0.36$
250 - 405 0.32$ 0.35$
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Diode, 3A, 125A, DO-201, DO-201AD ( 9.0x5.3mm ), 1000V - HER308. Diode, 3A, 125A, DO-201, DO-201AD ( 9.0x5.3mm ), 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. Remarque: diode de redressement à haut rendement. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Poids: 1.1g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Produit d'origine constructeur Taiwan Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 24/07/2025, 06:25.

Documentation technique

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Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): silicium. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Tension directe Vfmax (V): 1.7V @ 3A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 75 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. VRRM: 800V
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