Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 13.80$ | 14.92$ |
2 - 2 | 13.11$ | 14.17$ |
3 - 4 | 12.83$ | 13.87$ |
5 - 9 | 12.42$ | 13.43$ |
10 - 14 | 12.14$ | 13.12$ |
15 - 19 | 11.73$ | 12.68$ |
20 - 76 | 12.64$ | 13.66$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 13.80$ | 14.92$ |
2 - 2 | 13.11$ | 14.17$ |
3 - 4 | 12.83$ | 13.87$ |
5 - 9 | 12.42$ | 13.43$ |
10 - 14 | 12.14$ | 13.12$ |
15 - 19 | 11.73$ | 12.68$ |
20 - 76 | 12.64$ | 13.66$ |
Transistor IGBT HGTG20N60A4D. Transistor IGBT. RoHS: oui. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 35 ns. Fonction: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 70A. Ic(puls): 280A. Ic(T=100°C): 40A. Marquage sur le boîtier: 20N60A4D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 290W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 73 ns. Td(on): 15 ns. Produit d'origine constructeur Onsemi. Quantité en stock actualisée le 26/07/2025, 02:25.
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