Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 55V, SO8 - IRF7341

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Transistor canal N, 55V, SO8 - IRF7341. Transistor canal N, 55V, SO8. Vdss (tension drain à source): 55V. Boîtier: SO8. Dissipation de puissance maxi: 2W. Série: HEXFET. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 4.7A. Tension d'entraînement: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8. Vgs(th) (Max) @ Id: 2W. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): oui. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Température de fonctionnement: SO. Type de montage: SMD. Produit d'origine constructeur International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 26/07/2025, 08:25.

Documentation technique

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