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Transistor PNP, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V, TO3, -120V - MJ11015G

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Transistor PNP, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V, TO3, -120V - MJ11015G. Transistor PNP, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V, TO3, -120V. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Boîtier: TO3. Tension collecteur-émetteur VCEO: -120V. RoHS: oui. Remarque: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ11016. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Type: transistor Darlington. Polarité: PNP. Puissance: 200W. Tension base / collecteur VCBO: -120V. Type de montage: Montage sur châssis. Bande passante MHz: 4MHz. Gain hFE min.: 200. Courant maximum 1: -30A. Tension IGBT VRSM maxi: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Série: MJ11015G. MSL: 30A. Produit d'origine constructeur ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 26/07/2025, 02:25.

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