Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.43$ | 1.55$ |
5 - 9 | 1.36$ | 1.47$ |
10 - 24 | 1.31$ | 1.42$ |
25 - 49 | 1.29$ | 1.39$ |
50 - 99 | 1.26$ | 1.36$ |
100 - 249 | 1.13$ | 1.22$ |
250 - 352 | 1.09$ | 1.18$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.43$ | 1.55$ |
5 - 9 | 1.36$ | 1.47$ |
10 - 24 | 1.31$ | 1.42$ |
25 - 49 | 1.29$ | 1.39$ |
50 - 99 | 1.26$ | 1.36$ |
100 - 249 | 1.13$ | 1.22$ |
250 - 352 | 1.09$ | 1.18$ |
Transistor PNP, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE2955T. Transistor PNP, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. RoHS: oui. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Vebo: 5V. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-220AB. C (out): TO-220AB. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 25/07/2025, 15:25.
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