Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor canal P, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v - SI9435BDY

Transistor canal P, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v - SI9435BDY
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Transistor canal P, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v - SI9435BDY. Transistor canal P, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 5.3A. Idss (maxi): 5.3A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.055 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: V-MOS. Produit d'origine constructeur Vishay. Quantité en stock actualisée le 26/07/2025, 09:25.

Documentation technique

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FDS9435A

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Transistor canal P, SO, SO-8, 30 v, 5.3A, 100nA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-...
FDS9435A
Transistor canal P, SO, SO-8, 30 v, 5.3A, 100nA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Id (T=25°C): 5.3A. Idss (maxi): 100nA. RoHS: oui. Td(on): 7 ns. Technologie: P-Channel PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. C (in): 528pF. C (out): 132pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.042 Ohms. Spec info: VGS(th) 1V...3V, ID=250uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 14 ns
FDS9435A
Transistor canal P, SO, SO-8, 30 v, 5.3A, 100nA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Id (T=25°C): 5.3A. Idss (maxi): 100nA. RoHS: oui. Td(on): 7 ns. Technologie: P-Channel PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. C (in): 528pF. C (out): 132pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.042 Ohms. Spec info: VGS(th) 1V...3V, ID=250uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 14 ns
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