Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V - SPU04N60C3

Transistor canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V - SPU04N60C3
Quantité HT TTC
1 - 4 6.38$ 6.90$
5 - 9 6.06$ 6.55$
10 - 24 5.87$ 6.35$
25 - 49 5.74$ 6.20$
50 - 99 5.61$ 6.06$
100+ 5.29$ 5.72$
Quantité U.P
1 - 4 6.38$ 6.90$
5 - 9 6.06$ 6.55$
10 - 24 5.87$ 6.35$
25 - 49 5.74$ 6.20$
50 - 99 5.61$ 6.06$
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Transistor canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V - SPU04N60C3. Transistor canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 650V. C (in): 490pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Protection G-S: non. Id(imp): 13.5A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 04N60C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 26/07/2025, 09:25.

Documentation technique

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SPP04N60C3
Transistor canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 85m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Tension Vds(max): 650V. C (in): 490pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Protection G-S: non. Id(imp): 13.5A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 04N60C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: Capacité dv/dt exceptionnelle. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V
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SPA04N60C3
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SPA04N60C3
Transistor canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3-1. Tension Vds(max): 650V. C (in): 490pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Protection G-S: non. Id(imp): 13.5A. Idss (min): 0.5uA. Remarque: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Marquage sur le boîtier: 04N60C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31W. RoHS: oui. Spec info: Capacité dv/dt exceptionnelle. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V
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