Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP7NK80ZFP

Transistor canal N, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP7NK80ZFP
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Quantité HT TTC
1 - 4 3.13$ 3.38$
5 - 9 2.98$ 3.22$
10 - 24 2.88$ 3.11$
25 - 49 2.82$ 3.05$
50 - 99 2.76$ 2.98$
100 - 249 2.66$ 2.88$
250+ 2.57$ 2.78$
Quantité U.P
1 - 4 3.13$ 3.38$
5 - 9 2.98$ 3.22$
10 - 24 2.88$ 3.11$
25 - 49 2.82$ 3.05$
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Transistor canal N, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP7NK80ZFP. Transistor canal N, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Protection G-S: oui. Id(imp): 20.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P7NK80ZFP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vgs(th) min.: 3.75V. C (in): 1138pF. C (out): 122pF. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 530 ns. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 25/07/2025, 10:25.

Documentation technique

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FQPF8N80C

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Transistor canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=...
FQPF8N80C
Transistor canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.29 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1580pF. C (out): 135pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 690 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Protection G-S: non. Date de production: 201432. Id(imp): 32A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 59W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
FQPF8N80C
Transistor canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.29 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1580pF. C (out): 135pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 690 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Protection G-S: non. Date de production: 201432. Id(imp): 32A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 59W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
Lot de 1
4.33$ TTC
(4.01$ HT)
4.33$
Quantité en stock : 18
STP8NK80ZFP

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