Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V - TK6A60D

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Transistor canal N, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V - TK6A60D. Transistor canal N, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 800pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Protection G-S: non. Id(imp): 24A. Marquage sur le boîtier: K6A60D. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur Toshiba. Quantité en stock actualisée le 25/07/2025, 15:25.

Documentation technique

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